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15N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 15N10是高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。15N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 15N10
- 商品编号
- C7471106
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46564克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 765pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
S60N10是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S60N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%雪崩能量（EAS）保证