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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 176pF |
商品特性
-超低栅极电荷-提供环保型器件-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术