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80N03F
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 特性：100% EAS Guaranteed。 Green Device Available。 Super Low Gate Charge。 Excellent CdV/dt effect decline。 Advanced high cell density Trench technology。应用：DC-DC converter。 Portable Equipment
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 80N03F
- 商品编号
- C7471104
- 商品封装
- DFN5x6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18546克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V；6.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 177pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
CMN3160M采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 45 Ω
- SOT-23-3L封装
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 电源管理功能