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CMN3160M
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.2A
- 描述
- CMN3160M采用先进的高压MOSFET工艺制造，该工艺旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN3160M
- 商品编号
- C7470624
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMS4463采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和超低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 45 Ω
- SOT-23-3L封装
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 电源管理功能