APT10078BLLG
1个N沟道 耐压:1kV 电流:14A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT10078BLLG
- 商品编号
- C7450752
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V,7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 403W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AOT11N60L、AOTF11N60L和AOTF11N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻RDS(on)、低输入电容Ciss和低反向传输电容Crss，并保证雪崩能力，这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。