APT1201R4BFLLG
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT1201R4BFLLG
- 商品编号
- C7452492
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
PXFE211507FC是一款170瓦的LDMOS场效应晶体管，适用于2110至2170 MHz频段的多标准蜂窝功率放大器应用。其特性包括输入和输出匹配、高增益以及带无耳法兰的热增强型封装。该器件具有出色的热性能和卓越的可靠性。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- TO - 247或表面贴装D3PAK封装