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APT5015BVFRG
1个N沟道 耐压:500V 电流:32A
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- 描述
- 新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可最大程度地减少JFET效应，提高封装密度并降低导通电阻。还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT5015BVFRG
- 商品编号
- C7452495
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.28nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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