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APT5015BVFRG实物图
  • APT5015BVFRG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APT5015BVFRG

1个N沟道 耐压:500V 电流:32A

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描述
新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可最大程度地减少JFET效应,提高封装密度并降低导通电阻。还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。
商品型号
APT5015BVFRG
商品编号
C7452495
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)370W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)300nC@10V
输入电容(Ciss)5.28nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

XCH2309是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。 XCH2309符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

-更快的开关速度-雪崩能量额定-更低的泄漏电流-快速恢复体二极管

数据手册PDF