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CMPA2735030S

描述: Cree 的 CMPA2735030S 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN 比硅或砷化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaN HEMT 还提供比 Si 和 GaAs 晶体管更高的功率密度和更宽的带宽。这款 MMIC 采用两阶段反应匹配放大器设计，可在 5mm x 5mm 表面贴装 (QFN) 封装中实现高功率和高功率附加效率。
品牌名称: WOLFSPEED
商品型号: CMPA2735030S
商品编号: C7452536
商品封装: QFN-32(5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.255克(g)

商品概述

一款基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更优越的特性，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁移率晶体管还具有更高的功率密度和更宽的带宽。这款MMIC采用两级电抗匹配放大器设计，可在5mm x 5mm的表面贴装（QFN封装）中实现高功率和高功率附加效率。

商品特性

32 dB小信号增益
最高可在50 V电压下工作
高击穿电压
可在高温环境下工作
产品整体尺寸为5mm x 5mm

应用领域

民用脉冲雷达放大器

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	属性	参数值
	商品目录	RF放大器
	频率	2.7GHz~3.5GHz
	增益	-

	属性	参数值
	工作电压	50V
	工作电流	135mA