商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 2.7GHz~3.5GHz | |
| 增益 | 33dB | |
| 噪声系数 | - | |
| 工作电压 | 50V | |
| 工作电流 | 80mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 输入回波损耗 | -8dB | |
| 输出回波损耗 | -7dB | |
| IP3 | - | |
| 功能特性 | - |
商品概述
一款基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更优越的特性，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁移率晶体管还具有更高的功率密度和更宽的带宽。这款MMIC采用两级电抗匹配放大器设计，能在5mm x 5mm的表面贴装（QFN封装）中实现高功率和高功率附加效率。
商品特性
- 33 dB小信号增益
- 最高50 V电压下典型饱和输出功率（PSAT）为21 W
- 高击穿电压
- 高温工作
- 产品整体尺寸为5 mm × 5 mm
应用领域
- 民用脉冲雷达放大器