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APT30F50B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APT30F50B

1个N沟道 耐压:500V 电流:30A

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商品型号
APT30F50B
商品编号
C7455370
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)415W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)115nC@10V
输入电容(Ciss)4.525nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。这些器件包含用于钳位、静电放电(ESD)保护和温度感应的TrenchPLUS二极管。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证,适用于汽车关键应用。

商品特性

  • 快速开关,低电磁干扰
  • 低反向恢复时间(trr),高可靠性
  • 超低反馈电容(Crss),增强抗噪性
  • 低栅极电荷
  • 有雪崩能量额定值
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 零电压开关(ZVS)移相桥及其他全桥电路
  • 半桥电路
  • 功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
  • 降压转换器
  • 单开关和双开关正激电路
  • 反激电路

数据手册PDF