APT66M60L
1个N沟道 耐压:600V 电流:70A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT66M60L
- 商品编号
- C7457654
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.135kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 330nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.19nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该产品采用了专有的STripFET技术的第五代设计规则。在SO-8封装中，其具备最低的可用RDS(on)*Qg，这使得该器件适用于对功率密度要求极高的DC-DC转换器应用。
商品特性
- 快速开关,低 EMI/RFI
- 低 RDS(on)
- 超低 Crss,提高抗噪性
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- PFC 和其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激(不对称桥)
- 单开关正激
- 反激式
- 逆变器