APT20M38BVRG
1个N沟道 耐压:200V 电流:67A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT20M38BVRG
- 商品编号
- C7459570
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.12nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计，这使得 CGH25120F 非常适合用于 2.3 - 2.7GHz 的 WiMAX、LTE 和 BWA 放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
商品特性
- 更快的开关速度
- 100% 雪崩测试
- 更低的漏电流
- 常用的 TO-247 封装
应用领域
- WiMAX-LTE-BWA 放大器