APT24M120L
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:24A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT24M120L
- 商品编号
- C7459574
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.04kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CG2H80015D是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更优越的特性，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁移率晶体管具有更高的功率密度和更宽的带宽。
商品特性
- 快速开关,低电磁干扰/射频干扰(EMI/RFI)
- 低导通电阻(RDS(on))
- 超低Crss,提高抗噪能力
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激(不对称桥)
- 单开关正激
- 反激式转换器
- 逆变器
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