商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 耗散功率(Pd) | 56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计，这使得CGH21120F非常适合用于1.8 - 2.3 GHz的WCDMA和LTE放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
商品特性
- 1.8 - 2.3 GHz工作频率
- 15 dB增益
- 20 W平均功率(P\textAVE)下,邻信道泄漏比(ACLR)为35 dBc
- 20 W平均功率(P\textAVE)下,效率为35%
- 可进行高度的数字预失真(DPD)校正
- 提供适用于ADS和MWO的大信号模型
- 符合RoHS标准
应用领域
- 1.8 - 2.3 GHz WCDMA放大器应用
- 1.8 - 2.3 GHz LTE放大器应用