商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 耗散功率(Pd) | 330W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+130℃ |
商品概述
一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专门设计用于实现高效率、高增益和宽带宽,这使得CGHV14250非常适合直流 - 1.6 GHz L波段雷达放大器应用。该晶体管可用于0.9至1.8 GHz的特定频段应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰和药丸封装。
商品特性
- 参考设计放大器在1.2 - 1.4 GHz频率下工作
- FET调谐范围从超高频到1800 MHz
- 典型输出功率330 W
- 功率增益18 dB
- 典型漏极效率77%
- 脉冲幅度下降 < 0.3 dB
- 输入内部预匹配,输出不匹配
应用领域
- 功率因数校正 (PFC) 及其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激 (不对称桥)
- 单开关正激
- 反激式
- 逆变器