CG2H80015D-GP4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -25℃~+225℃ |
商品概述
CJU70N06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 在4 GHz时典型小信号增益为17 dB
- 在8 GHz时典型小信号增益为12 dB
- 典型饱和输出功率(PSAT)为15 W
- 工作电压为28 V
- 高击穿电压
- 可高温工作
- 最高工作频率达8 GHz
- 高效率
应用领域
- 双向专用无线电
- 宽带放大器
- 蜂窝基础设施
- 测试仪器
- 适用于正交频分复用(OFDM)、宽带码分多址(W-CDMA)、增强型数据速率GSM演进技术(EDGE)、码分多址(CDMA)波形的A类、AB类线性放大器