商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了较低的导通和开关损耗，以及美高森美（Microsem）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 2.3 - 2.7 GHz 工作频率
- 13 dB 增益
- 20 W 平均功率下 32 dBc 的邻道泄漏比 (ACLR)
- 20 W 平均功率下 30% 的效率
- 可进行高度的数字预失真 (DPD) 校正
- 提供适用于 ADS 和 MWO 的大信号模型
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-WiMAX-LTE-BWA 放大器