商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计,这使得 CGH25120F 非常适合用于 2.3 - 2.7GHz 的 WiMAX、LTE 和 BWA 放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
商品特性
- 2.3 - 2.7 GHz 工作频率
- 13 dB 增益
- 20 W 平均功率下 32 dBc 的邻道泄漏比 (ACLR)
- 20 W 平均功率下 30% 的效率
- 可进行高度的数字预失真 (DPD) 校正
- 提供适用于 ADS 和 MWO 的大信号模型
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-WiMAX-LTE-BWA 放大器