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AT25FF081A-SHN-B引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AT25FF081A-SHN-B

AT25FF081A-SHN-B

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商品型号
AT25FF081A-SHN-B
商品编号
C7457661
商品封装
SOIC-8-208mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.283克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量8Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压1.65V~3.6V
属性参数值
待机电流30uA
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品特性

  • 电压范围:1.65 V - 3.6 V
  • 8 Mbit(4 x 2 Mbit物理块)闪存
  • 兼容串行外设接口(SPI)
    • 支持SPI模式0和3
    • 支持双输出操作(1-1-2)
    • 支持四输出操作(1-1-4)
    • 支持四I/O操作(1-4-4)
    • 支持XiP操作(1-4-4,0-4-4)
  • 最高工作频率133 MHz
  • 时钟到输出时间为8 ns
  • 灵活、优化的擦除架构,适用于代码+数据存储应用
    • 统一的4-kByte块擦除
    • 统一的32-kByte块擦除
    • 统一的64-kByte块擦除
    • 全芯片擦除
  • 灵活的非易失性块保护
  • 1 x 128字节工厂编程的唯一标识符
  • 3 x 128字节,一次性可编程(OTP)安全寄存器
  • 灵活的编程
    • 字节/页编程(1至256字节)
    • 顺序编程模式能力
    • 擦除编程暂停恢复
    • 软件控制的复位和终止命令
  • 硬件复位选项(通过HOLD(上划线)引脚)
    • JEDEC硬件复位
  • 非易失性状态寄存器配置选项
  • JEDEC标准的制造商和设备ID读取方法
  • 串行闪存可发现参数(SFDP)版本1.6
  • 低功耗
    • 典型待机电流30 μA
    • 典型深度掉电(DPD)电流8.5 μA
    • 典型超深度掉电(UDPD)电流7 nA
    • (1-1-1 — 104 MHz)时典型主动读取电流8.5 mA
    • 编程电流8.5 mA
    • 擦除电流9.6 mA
  • 用户可配置和自动I/O引脚驱动电平
  • 耐用性:100,000次编程/擦除循环
  • 数据保留:20年
  • 温度范围:-40 °C至+85 °C
  • 行业标准绿色(无铅/无卤化物/符合RoHS)封装选项
    • 8引脚SOIC(150密耳)
    • 8引脚SOIC(208密耳)
    • 8焊盘超薄DFN(2 x 3 x 0.6 mm)
    • 8球WLCSP
    • 晶圆形式裸片(DWF)

数据手册PDF