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APT20M45BVRG
1个N沟道 耐压:200V 电流:56A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT20M45BVRG
- 商品编号
- C7457647
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.86nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更快的开关速度
- 更低的漏电流
- 100% 雪崩测试
- 采用常用的 TO-247 封装
- 符合 RoHS 标准