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APT25GP120BDQ1G
APT25GP120BDQ1G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT25GP120BDQ1G
- 商品编号
- C7455391
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.466667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 33A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.3V；3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.09nF | |
| 输出电容(Coes) | 200pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns；70ns | |
| 导通损耗(Eon) | 500uJ；1.575mJ；1.09mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 440uJ；1.185mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 290ns；21ns；240ns；130ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |