APL602LG
1个N沟道 耐压:600V 电流:49A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APL602LG
- 商品编号
- C7457214
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 730W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOW15S65和AOWF15S65采用先进的αMOS高压工艺制造，旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低RDS(on)、低Qg和低EOSS，且具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 更高的正向偏置安全工作区(FBSOA)
- 常用的T-MAX或TO - 264封装
- 更高的功率耗散