APT28M120L
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:29A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT28M120L
- 商品编号
- C7453689
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V,14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.135kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.67nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 专为充电器优化
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 适用于标准等级应用
- 非常适合高频开关