APT20M22LVFRG
1个N沟道 耐压:200V 电流:100A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT20M22LVFRG
- 商品编号
- C7450831
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 435nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.2nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
XCH80N03是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XCH80N03符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术