APT1204R7BFLLG
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:3.5A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT1204R7BFLLG
- 商品编号
- C7450767
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7Ω@10V,1.75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
2N7002增强型N沟道MOSFET的特殊静电放电（ESD）保护版本，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
商品特性
~~- 高达1800V的ESD保护-低栅极电荷-低导通电阻RDS(ON)
应用领域
- 负载/电源开关-直流-直流转换器电路-电源管理