APT9M100B
1个N沟道 耐压:1kV 电流:9A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT9M100B
- 商品编号
- C7450778
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 335W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.605nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
NCE60NP4035K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15.5 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 22 mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -35A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 35 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 散热性能良好的优质封装
- 具备高静电放电（ESD）能力的特殊工艺技术
应用领域
- H桥电路-逆变器