APT18M100B
1个N沟道 耐压:1kV 电流:18A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT18M100B
- 商品编号
- C7450830
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 625W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.845nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术可将 JFET 效应降至最低，提高封装密度并降低导通电阻。POWER MOS V® 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
- 更快的开关速度
- 更低的漏电流
- 100% 雪崩测试
- 采用常用的 TO-247 封装
- 符合 RoHS 标准