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APT30M70BVRG
1个N沟道 耐压:300V 电流:48A
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- 描述
- 是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可最大程度减少JFET效应，提高封装密度并降低导通电阻。还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT30M70BVRG
- 商品编号
- C7450755
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.87nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 277pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 882pF |
商品概述
XCH2310是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。XCH2310符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 小功率开关
- 负载开关