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CMSA420A60
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A 停产
- 描述
- CMSA420A60 是一款采用 Cmos 先进超结技术的功率 MOSFET，可实现极低的导通电阻。这些用户友好的器件为设计人员提供了低 EMI 和低开关损耗的优势。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA420A60
- 商品编号
- C7427449
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA420A60是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET,可实现极低的导通电阻。这些用户友好型器件为设计人员带来了低电磁干扰(EMI)和低开关损耗的优势。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
-采用PFC、反激式和LLC拓扑的开关电源(SMPS)-银牌ATX电源、适配器、电视、照明、服务器电源