TM10N02MI
1个N沟道 耐压:20V 电流:9.8A
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- 描述
- N沟道,20V,9.8A,11mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM10N02MI
- 商品编号
- C7422808
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V;16mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- VDS = 20V,ID = 6.2A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 19 mΩ(典型值)
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rq测试
- 丝印标识:2300
- 封装:SOT-23-3L
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)
