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TM10N06SI
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- N沟道,60V,10A,40mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM10N06SI
- 商品编号
- C7422810
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1626克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V；47mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 725pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
该产品具有低导通电阻（RDS(ON)），符合RoHS标准且无卤。
商品特性
- 漏源电压（VDS）为60V，漏极电流（ID）为10A
- 导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压（VGS）为10V时典型值为40mΩ
- 经过100%单脉冲雪崩测试
- 经过100% Rq测试
- 标记：10N06
- 封装：SOT - 89 - 3L
应用领域
- 负载开关
- 脉冲宽度调制（PWM）