商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-低本征栅极电阻-低封装电感-快速本征整流器-低漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg)-高功率密度-易于安装-节省空间
应用领域
-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-温度和照明控制