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SSM3J15F,LF
1个P沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：小封装。 低导通电阻：Rₒₙ = 12Ω（最大值）(V_GS =-4V)，Rₒₙ = 32Ω（最大值）(V_GS =-2.5V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J15F,LF
- 商品编号
- C7088702
- 商品封装
- TO-236-3(SOT-23-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@4V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1pF@3V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.6pF |
商品特性
- 降低品质因数 (FOM)：导通电阻 (Ron) × 栅极电荷 (Qg)
- 采用 E 系列技术的快速体二极管 MOSFET
- 降低反向恢复时间 (trr)、反向恢复电荷 (Qrr) 和反向恢复峰值电流 (IRRM)
- 低反向恢复电荷 (Qrr) 提高了器件的鲁棒性
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和导通损耗
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 计算机领域
- ATX 电源
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电池充电器
- 不间断电源 (UPS)
- 可再生能源
- 串式光伏逆变器