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SSM6K403TU,LF
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：1.5-V drive。 低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 66mΩ (最大值) (@VGS = 1.5V)。 RDS(ON) = 43mΩ (最大值) (@VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 32mΩ (最大值) (@VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 28mΩ (最大值) (@VGS = 4.0V)。应用：电源管理开关。 高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K403TU,LF
- 商品编号
- C7088755
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品特性
- 1.5V驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 66 mΩ(最大值)(@ VGS = 1.5V)
- RDS(ON) = 43 mΩ(最大值)(@ VGS = 1.8V)
- RDS(ON) = 32 mΩ(最大值)(@ VGS = 2.5V)
- RDS(ON) = 28 mΩ(最大值)(@ VGS = 4.0V)
应用领域
- 电源管理开关
- 高速开关