- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM6K809R,LF
SSM6K809R,LF
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K809R,LF
- 商品编号
- C7088764
- 商品封装
- TSOP-6-F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些器件为采用第六代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具备全新的栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 符合 AEC-Q101 标准
- 175°C MOSFET
- 4.0 V 驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 28 mΩ(典型值)(@ VGS = 10 V)
- RDS(ON) = 36 mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) = 43 mΩ(典型值)(@ VGS = 4 V)
应用领域
-电源管理开关-DC-DC 转换器
- SSM6K810R,LXHF
- SSM6K819R,LXHF
- SSM6N55NU,LF
- TW-14-03-L-D-275-120
- SSQ-136-22-S-S-RA
- TW-35-06-G-D-120-220
- SSQ-137-02-G-S
- TW-14-04-L-D-260-100
- SSQ-137-04-G-D
- TW-14-05-G-S-393-102
- SSQ-137-23-S-D
- SSP 0068F
- TW-35-07-S-Q-450-120
- SSP-MTCF1
- SSQ-138-02-G-D-RA
- TW-14-05-S-S-120-105
- SSQ-138-02-T-T
- SSP1A4125M7T
- TW-14-07-G-D-495-090
- SSQ-138-24-G-S
- SSP1A475BD