SSM3J372R,LXHF
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J372R,LXHF
- 商品编号
- C7088713
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF |
商品概述
AOD1N60、AOU1N60和AOI1N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 1.8V栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 144 mΩ(最大值)(在VGS = -1.8 V时)
- RDS(ON) = 72.0 mΩ(最大值)(在VGS = -2.5 V时)
- RDS(ON) = 50.0 mΩ(最大值)(在VGS = -4.5 V时)
- RDS(ON) = 42.0 mΩ(最大值)(在VGS = -10 V时)
应用领域
- 电源管理开关