SSM5H90ATU,LF
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.4A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM5H90ATU,LF
- 商品编号
- C7088745
- 商品封装
- SMD-5P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF |
商品概述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，适用于各种应用场景。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4的管芯尺寸。在现有的所有表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2 W的功率。 对于低外形应用，可选用直插式版本（SiHFZ48L）。
商品特性
- 在一个封装中集成了一个N沟道MOSFET和一个二极管。
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 65 mΩ(最大值)(@ VGS = 4.0 V),RDS(ON) = 89 mΩ(最大值)(@ VGS = 2.5 V)
- 2.5 V栅极驱动电压。
- 低反向电流:IR = 0.1 μA(典型值)(@VR = 30 V)
应用领域
- 高速开关