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SSM5H90ATU,LF

1个N沟道耐压:20V 电流:2.4A

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品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: SSM5H90ATU,LF
商品编号: C7088745
商品封装: SMD-5P
包装方式: 编带
商品毛重: 0.061克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，适用于各种应用场景。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4的管芯尺寸。在现有的所有表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2 W的功率。对于低外形应用，可选用直插式版本（SiHFZ48L）。

商品特性

在一个封装中集成了一个N沟道MOSFET和一个二极管。
低漏源导通电阻:RDS(ON) = 65 mΩ(最大值)(@ VGS = 4.0 V),RDS(ON) = 89 mΩ(最大值)(@ VGS = 2.5 V)
2.5 V栅极驱动电压。
低反向电流:IR = 0.1 μA(典型值)(@VR = 30 V)

应用领域

高速开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	2.4A
	导通电阻(RDS(on))	65mΩ@4V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V
	栅极电荷量(Qg)	2.2nC@4V
	输入电容(Ciss)	200pF