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SSM5H90ATU,LF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSM5H90ATU,LF

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.4A

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品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM5H90ATU,LF
商品编号
C7088745
商品封装
SMD-5P​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.4A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@4V,1.5A
属性参数值
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)2.2nC@4V
输入电容(Ciss)200pF@10V

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,适用于各种应用场景。 D²PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳最大至HEX - 4的管芯尺寸。在现有的所有表面贴装封装中,它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D²PAK(TO - 263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2 W的功率。 对于低外形应用,可选用直插式版本(SiHFZ48L)。

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 表面贴装(IRFZ48S、SiHFZ48S)
  • 低外形直插式(SiHFZ48L)
  • 175 °C工作温度
  • 快速开关

数据手册PDF