SSM3K2615TU,LF
1个N沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 特性:AEC-Q101合格。 3.3-V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 380 mΩ(典型值)(VGS = 3.3V, ID = 0.5A);RDS(ON) = 330 mΩ(典型值)(VGS = 4.0V, ID = 1.0A);RDS(ON) = 230 mΩ(典型值)(VGS = 10V, ID = 1.0A)。应用:负载开关。 电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K2615TU,LF
- 商品编号
- C7088726
- 商品封装
- 2-2U1A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 3.3 V栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 380 mΩ(典型值)(@ VGS = 3.3 V,ID = 0.5 A);RDS(ON) = 330 mΩ(典型值)(@ VGS = 4.0 V,ID = 1.0 A);RDS(ON) = 230 mΩ(典型值)(@ VGS = 10 V,ID = 1.0 A)
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动器
- SSM3K376R,LF
- SSM3K7002KF,LXHF
- SSM5H90ATU,LF
- SSM6K403TU,LF
- SSM6K406TU,LF
- TW-30-12-G-D-430-090
- TW-13-12-L-D-558-125
- SSQ-136-02-T-S-RA
- TW-30-12-G-D-650-110
- TW-13-12-LM-D-760-150
- SSQ-136-03-T-T
- TW-32-02-G-D-213-000
- SSQ-136-04-G-S
- TW-32-03-G-D-235-175
- SSQ-136-04-T-T
- TW-32-04-L-S-350-150
- SSQ-136-21-G-D
- TW-14-01-T-S-120-065
- TW-14-02-S-D-120-175
- SSQ-136-22-G-D-RA
- TW-14-02-T-S-158-110

