SSM3J66MFV,L3F
1个P沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J66MFV,L3F
- 商品编号
- C7088721
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 1.2V 驱动
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 390mΩ(最大值)(@VGS = -4.5V)
- RDS(ON) = 480mΩ(最大值)(@VGS = -2.5V)
- RDS(ON) = 660mΩ(最大值)(@VGS = -1.8V)
- RDS(ON) = 900mΩ(最大值)(@VGS = -1.5V)
- RDS(ON) = 4000mΩ(最大值)(@VGS = -1.2V)
应用领域
- 负载开关