SSM3J36TU,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:330mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J36TU,LF
- 商品编号
- C7088707
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.31Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
- 1.5V驱动
- 低导通电阻:Ron = 3.60 Ω(最大值)(@VGS = -1.5 V)
- Ron = 2.70 Ω(最大值)(@VGS = -1.8 V)
- Ron = 1.60 Ω(最大值)(@VGS = -2.8 V)
- Ron = 1.31 Ω(最大值)(@VGS = -4.5 V)