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SIHJ6N65E-T1-GE3

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHJ6N65E-T1-GE3
商品编号: C7080476
商品封装: PowerPAKSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8^TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。采用专有平面条纹设计，具有出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低 C_rss “米勒” 电容实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率，从而实现低 EMI 和可靠的并联，即使在非常高的频率下开关也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。

商品特性

低品质因数 (FOM) Ron × Qg
低输入电容 (Ciss)
降低开关和传导损耗
超低栅极电荷 (Qg)
雪崩能量额定 (UIS)

应用领域

开关模式电源 (SMPS)
功率因数校正电源 (PFC)
照明
高强度气体放电灯 (HID)
荧光灯镇流器照明
消费电子
适配器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	3.6A
	导通电阻(RDS(on))	755mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	74W
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	32nC@10V
	工作温度	-55℃~+150℃