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SIHA24N65EF-GE3实物图
  • SIHA24N65EF-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHA24N65EF-GE3

1个N沟道 耐压:650V 电流:10A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHA24N65EF-GE3
商品编号
C7081435
商品封装
TO-220​
包装方式
编带
商品毛重
2.695克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))156mΩ@10V
耗散功率(Pd)39W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)122nC@10V
输入电容(Ciss)2.774nF
反向传输电容(Crss)128pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
  • 降低trr、Qrr和IRRM
  • 低品质因数(FOM)R\text on x Q\text g
  • 低输入电容\left(Ciss\right)
  • 因Qrr降低而具有低开关损耗
  • 超低栅极电荷\left(Qg\right)
  • 雪崩能量额定(UIS)
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑的应用-LCC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥

数据手册PDF