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SQA403EJ-T1_GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQA403EJ-T1_GE3
- 商品编号
- C7083947
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041953克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 13.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 227pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电压调节模块（VRM）
- DC/DC转换：低端
- 同步整流
- SQD07N25-350H_GE3
- SQD100N03-3M4_GE3
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- SQJ416EP-T1_BE3
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- SMM-117-02-L-D-K-TR
- SMM-117-02-L-D-TR
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- SQE48T30033-NDA0G
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- SMM-117-02-SM-D-P-TR
- SMM-118-02-S-D-LC-P-TR
- SQE48T30033-NGA0G
- SQE48T30033-NGB0G
- SMM-120-01-L-D
- SMM-120-02-F-S
- SMM-120-02-L-D
- SMM-120-02-L-D-LC-K-TR