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SQA403EJ-T1_GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQA403EJ-T1_GE3
- 商品编号
- C7083947
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041953克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 13.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.88nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 227pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET第二代功率MOSFET
- 采用顶部外露PolarPAK封装实现超低热阻，支持双面散热
- 基于引线框架的新型封装
- 芯片未外露
- 无论芯片尺寸如何，布局相同
- 低Qgd/Qgs比有助于防止直通现象
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电压调节模块（VRM）
- DC/DC转换：低端
- 同步整流