商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.8mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.572nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 465pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
其他推荐
- SMM-125-02-L-D
- SQT-101-01-L-S-RA
- SQT-102-01-F-T
- SQT-103-01-F-T
- SMM-125-02-S-D-K-TR
- SQT-103-01-L-D-004
- SMM-125-02-S-D-LC-20
- SQT-103-01-S-D
- SQT-103-03-F-S
- SQT-103-03-S-S
- SMM-125-02-S-S-P
- SQT-104-01-F-Q
- SQT-104-01-F-S
- SQT-104-01-G-Q
- SQT-104-01-S-D-RA
- SMM-128-02-S-S-LC
- SQT-104-02-G-D
- SQT-104-03-F-D
- SQT-104-03-S-S
- SMM-130-02-S-D
- SMM-132-02-F-S