商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.586nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 312pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- SQJ469EP-T1_GE3
- SQJ481EP-T1_BE3
- SQJA42EP-T1_GE3
- SQJA84EP-T1_BE3
- SQJQ480E-T1_GE3
- SQM35N30-97_GE3
- SQM40020E_GE3
- SQM50N04-4M1_GE3
- SQM70060EL_GE3
- SQM85N15-19_GE3
- SMM-121-02-F-S
- SMM-121-02-S-S
- SMM-121-02-SM-S-P-TR
- SMM-122-02-F-D-K-TR
- SQM10AJB-5K6
- SMM-122-02-H-D-P-TR
- SMM-122-02-S-D-LC-K
- SQP10AJB-470R
- SQP20AJB-2R7
- SMM-125-01-F-D
- SMM-125-02-F-D-K

