- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQM85N15-19_GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:85A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM85N15-19_GE3
- 商品编号
- C7083993
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.285nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- SQS407ENW-T1_GE3
- SQP10AJB-470R
- SQP20AJB-2R7
- SMM-125-01-F-D
- SMM-125-02-F-D-K
- SQR22601BK
- SMM-125-02-F-D-LC-20
- SMM-125-02-L-D
- SQT-101-01-L-S-RA
- SQT-102-01-F-T
- SQT-103-01-F-T
- SMM-125-02-S-D-K-TR
- SQT-103-01-L-D-004
- SMM-125-02-S-D-LC-20
- SQT-103-01-S-D
- SQT-103-03-F-S
- SQT-103-03-S-S
- SMM-125-02-S-S-P
- SQT-104-01-F-Q
- SQT-104-01-F-S
- SQT-104-01-G-Q