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SQJQ480E-T1_GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:150A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试。 完全无铅器件。 1.9mm薄高度
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ480E-T1_GE3
- 商品编号
- C7083983
- 商品封装
- PowerPAK8x8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 311pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.655nF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 符合AEC-Q101标准
- 进行了100%的Rq和非钳位感应开关(UIS)测试
- 完全无铅(Pb)器件
- 厚度仅1.9 mm