SQJ456EP-T1_GE3
SQJ456EP-T1_GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ456EP-T1_GE3
- 商品编号
- C7083972
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.342nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 133pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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- SMM-120-02-S-S
- SMM-121-02-F-S
- SMM-121-02-S-S
- SMM-121-02-SM-S-P-TR
- SMM-122-02-F-D-K-TR
- SQM10AJB-5K6
- SMM-122-02-H-D-P-TR
- SMM-122-02-S-D-LC-K
- SQP10AJB-470R
- SQP20AJB-2R7

