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SIHFR9220-GE3实物图
  • SIHFR9220-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHFR9220-GE3

1个P沟道 耐压:200V 电流:3.6A

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描述
第三代功率MOSFET技术是先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻,同时具备高跨导和极强的器件耐用性。DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5W。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHFR9220-GE3
商品编号
C7081451
商品封装
TO-252AA​
包装方式
管装
商品毛重
0.627克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)42W;2.5W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)340pF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)110pF

商品概述

这款采用气密封装的QPL产品采用了最新的先进MOSFET和封装技术。它非常适合对小尺寸、高性能和高可靠性有要求的应用场景,以及开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能脉冲电路等应用。

商品特性

-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9220、SiHFR9220)-直引脚(IRFUFU9220、SiHFU9220)-P沟道-快速开关

应用领域

  • 开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路

数据手册PDF