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SIHFR9220-GE3
1个P沟道 耐压:200V 电流:3.6A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET技术是先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和极强的器件耐用性。DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFR9220-GE3
- 商品编号
- C7081451
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
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