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SI7858BDP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:12V
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：低输出电压、高电流同步整流器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7858BDP-T1-GE3
- 商品编号
- C7081111
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.145nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.73nF |
应用领域
- 低输出电压，高电流同步整流器
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