- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIS822DNT-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS822DNT-T1-GE3
- 商品编号
- C7080577
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 厚度仅0.8 mm
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-笔记本电脑-系统电源-负载开关-同步降压高端
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